主要规格及技术指标

2.1 配备6路反应源

2.2 反应温度50-500°C

2.3 微波等离子功率0~200 W，电子密度高 可达109，电子温度高：可达1~2电子伏特，沉积温度较低，工作压强范围高：10~100Pa，可在较多氩气分子中起辉，减少电子与带电粒子的损伤，薄膜致密性好，沉积速率高

2.4 臭氧发生器流量0~200 sccm，提供强氧化性氧源，沉积高质量氧化物。

2.5 基片6英寸向下兼容

2.6 沉积氧化铝的膜厚非均匀性< ±1%

2.7 沉积氧化钛的膜厚非均匀性< ±2%

主要功能及特色

ALD源：Zn, Ti, Al, Ga, Sn, Zr, In, Hf, Ni，其它源自备。

工艺气体：H2O, O2, O3, Ar, N2，5%H2/95%N2

ZnO典型沉积速率为0.02 nm/cycles

TiO2典型沉积速率为0.06 nm/cycles

Al2O3典型沉积速率为0.11 nm/cycles

Ga2O3典型沉积速率为0.02 nm/cycles

SnO2典型沉积速率为0.17 nm/cycles

In2O3典型沉积速率为0.039 nm/cycles

HfO2典型沉积速率为0.11 nm/cycles