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高真空PEVCD制备系统
型   号：QHV-P400D
生成厂家：沈阳奇汇
规格：可沉积100×100mm衬底一片，基片加热温度室温～500℃
联系人：周海青
电话：13054194197
地址：量子楼216

主要规格及技术指标

PECVD可沉积100×100mm衬底一片，基片加热温度室温～500℃，靶面到衬底距离20～70MM连续可调。最高真空优于9*10-6pa、恢复真空6.6×10-4Pa。

主要功能及特色

主要制备材料:非晶硅、多晶硅薄膜及相应的N型/P型掺杂薄膜, 淀积不均匀性：≤±5％。