主要规格及技术指标

曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；

365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；

声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；

有安全保护装置的温度及其气流传感器；

全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；

波长滤片检查及安装装置；

抗衍射反射功能高效反光镜；

二向色的防热透镜装置；

防汞灯泄漏装置；

配备蝇眼棱镜装置；

配备近紫外光源，

--220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2

--254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2

--365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2

--400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要功能及特色

光强均匀性Beam Uniformity:

--<±1% over 2” 区域

--<±2% over 4” 区域

--<±2.5% over 6” 区域

接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um

接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um

支持接近式曝光，特征尺寸CD:

--0.8um 硬接触

--1um 20 um 间距时

--2um 50um 间距时

正面对准精度±0.5um

支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um

支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻

支持真空、接近式、接触式曝光

支持恒定光强或恒定功率模式